[发明专利]一种在C/SiC复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法有效
| 申请号： | 201210447597.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102951919A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 孙银洁;李秀涛;周延春 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 莫丹 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在C/SiC复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法，其步骤：（1）将碳纤维织物在管式炉中脱胶除去表面环氧树脂胶；加热温度在350~450℃，保温25~40min，氮气保护；将聚碳硅烷充分溶解于溶剂中，配成质量百分比浓度在30~40%聚碳硅烷溶液；（2）采用真空浸溃的方法将聚碳硅烷溶液浸渍碳纤维织物；将浸渍碳纤维织物取出，在空气中凉干，在管式炉中230~250℃固化1~3小时；（3）将步骤（2）固化后的浸渍碳纤维织物在1100~1400℃下高温裂解1~2小时，得到陶瓷基复合材料。本发明直接在制备复合材料的过程中原位生成SiC纳米纤维，SiC纳米纤维生长在孔洞处，在一定程度上实现了后续循环中前驱体浸渍剂的均匀分布，减少材料缺陷，提高复合材料的使用性能；本方法工艺简单，易于控制，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 复合材料 原位 生长 纳米 纤维 方法 | ||
【主权项】：
一种在C/SiC复合材料中原位生长β‑SiC纳米纤维的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：（1）将碳纤维织物在管式炉中脱胶除去表面环氧树脂胶；加热温度在350~450℃，保温25~40min，氮气保护；将聚碳硅烷充分溶解于溶剂中，配成质量百分比浓度在30~40%聚碳硅烷溶液；所述的溶剂采用二甲苯、甲苯或四氢呋喃；（2）采用真空浸溃的方法将聚碳硅烷溶液浸渍碳纤维织物，真空度小于0.1Mpa，浸渍时间20~40min；将浸渍碳纤维织物取出，在空气中凉干，在管式炉中230~250℃固化1~3小时；（3）将步骤（2）固化后的浸渍碳纤维织物在1100~1400℃下高温裂解1~2小时，得到陶瓷基复合材料。
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