[发明专利]硅基集成啁啾光栅可调光延迟线无效
| 申请号： | 201210444561.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102955267A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 邹志;周林杰;谢静雅;陆梁军;孙晓萌;孙丽丽;李新碗;陈建平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p-i-n结或p-i-p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压。通过改变外加电压可以改变光栅的啁啾量，实现对光信号延迟量的动态调节，具有加工简单，调节迅速，可调范围大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 啁啾 光栅 调光 延迟线 | ||
【主权项】：
一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，构成包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p‑i‑n结或p‑i‑p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压。
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