[发明专利]一种电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料、镀膜磁心及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210439433.8 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN102936131A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 董生玉;杜成虎;孙蒋平;龚佑辉;郁于松 申请(专利权)人: 天通控股股份有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 徐关寿;吴关炳
地址: 314412 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料、镀膜磁心及其制备方法。该材料主成分为:Fe2O351.5~53mol%、Mn3O424.0~25.0mol%和ZnO20.5~22.5mol%;副成分为:纳米TiO20.50~1.00wt%、纳米SiO20.30~0.50wt%、纳米CaO1.00~1.50wt%、纳米Co2O30.05~0.35wt%和纳米SnO20.05~0.10wt%。采用氧化物法制备,模压成型,经烧结、磨削后,在磁芯外表面镀膜处理,过渡层为铬,目标层为钯。该材料在1MHz内ρ≥10Ω·m;在-55~25℃温度范围内αμir≤0.3~1.2×10-6/℃,25~100℃温度范围内,αμir≤0.4~1.6×10-6/℃。外表面镀膜的磁芯具有优异的电磁屏蔽性能,满足电涡流接近传感器对铁氧体材料高电阻率、小比温度系数、抗干扰能力强的要求。
搜索关键词: 一种 涡流 接近 开关 用锰锌 铁氧体 材料 镀膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料,具有高电阻率ρ和小比温度系数αμir且抗干扰能力强,其特征在于:包括主成分和副成分,所述主成分为:氧化铁、氧化锰和氧化锌,所述主成分以各自标准物计的含量如下:Fe2O3 51.5~53mol%、Mn3O4 24.0~25.0mol%、ZnO 20.5~22.5mol%;所述副成分包括纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米氧化钙、纳米三氧化二钴和纳米氧化锡,相对所述主成分总量,所述副成分以各自标准物计的含量如下:纳米TiO2 0.50~1.00wt%,纳米SiO2 0.30~0.50wt%, 纳米CaO 1.00~1.50wt%, 纳米Co2O3 0.05~0.35wt%,纳米SnO2 0.05~0.10wt%。
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