[发明专利]非易失性存储器在审
| 申请号： | 201210437634.4 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811655A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;李岱萤;蔡宗霖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器，其包括单极性电阻式存储单元以及二极管单元，其中二极管单元与单极性电阻式存储单元电性连接。二极管单元包括第一电极、第二电极、氧化钴层、以及氧化铟锌层。第一电极与第二电极相对配置。氧化钴层配置于第一电极与第二电极之间。氧化铟锌层配置于第一电极与氧化钴层之间。本发明不仅可具有良好的整流效果，更可承受重复100次以上的高电阻与低电阻之间的转态操作，并使得高电阻与低电阻之间可维持高的读取鉴别度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，包括：单极性电阻式存储单元；以及二极管单元，与所述单极性电阻式存储单元电性连接，所述二极管单元包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对配置；氧化钴层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及氧化铟锌层，配置于所述第一电极与所述氧化钴层之间。
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