[发明专利]一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法有效

专利信息
申请号: 201210431364.6 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN102925893A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 崔万照;杨晶;胡天存;王瑞;贺永宁 申请(专利权)人: 西安空间无线电技术研究所
主分类号: C23F1/00 分类号: C23F1/00
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 安丽
地址: 710100 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法,这一方法的核心是在保证微波部件良好导电性的基础上,利用化学方法微刻蚀铝合金镀银表面,使微波部件光滑的镀银表面形成纳米微陷阱结构,从而抑制微波部件表面的二次电子发射,以达到提高微放电阈值,抑制微放电的目的。该方法主要包括以下处理步骤:微波部件经必要清洗后,利用Fe(NO3)3溶液进行刻蚀,在部件镀银表面形成纳米微结构;然后在50%的盐酸中浸泡去除Fe3+。该方法与现有的微波部件处理工艺衔接良好,微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制,部件的微放电阈值也有显著提高。
搜索关键词: 一种 抑制 微波 部件 放电 效应 刻蚀 工艺 方法
【主权项】:
一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法,其特征在于步骤如下:(1)对微波部件的表面进行去油和清洗处理;(2)对步骤(1)中预处理过的微波部件利用Fe(NO3)3刻蚀液进行微刻蚀反应,在微波部件表面形成微陷阱结构;(3)清洗该微波部件,去除微波部件表面的反应残留物;(4)去除微波部件表面残留的Fe3+;(5)再次清洗该微波部件;(6)烘干该微波部件并包装保存。
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