[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层、在介质层上光刻、刻蚀出发射极窗口、在发射极窗口内淀积并平坦化多晶、在多晶表面形成一多晶表面氧化层、腐蚀掉介质层、制作多晶以及多晶表面氧化层的侧墙、以侧墙以及所述多晶表面氧化层为掩体，刻蚀基区、集电区；在被蚀刻后的基区和集电区基础上通过原位掺杂选择性外延制备第二掺杂类型的外基区；在上述结构上制备触孔，引出发射极电极和集区电极，具有步骤少且简单、生产效率高以及制作成本低等优点。

主权项

一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，所述嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法包括以下具体步骤：1：制备第一掺杂类型的集电区；2：在集电区上制备第二掺杂的基区；3：在基区上制备介质层；4：在所述介质层上光刻、刻蚀出发射极窗口；5：在所述发射极窗口内淀积并平坦化多晶；6：在所述多晶表面形成一多晶表面氧化层；7：腐蚀掉所述介质层；8：制作所述多晶以及所述多晶表面氧化层的侧墙；9：以所述侧墙以及所述多晶表面氧化层为掩体，刻蚀基区以及集电区；10：在被蚀刻后的基区和集电区上通过原位掺杂选择性外延制备第二掺杂类型的外基区；11：在上述结构上制备触孔，引出发射极电极和集区电极。