[发明专利]透射式电子束泵浦紫外激光管无效
| 申请号： | 201210426281.8 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102983499A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 | 申请（专利权）人： | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/04 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光领域，具体涉及半导体激光器。透射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，激励源采用一电子枪系统；谐振腔设置在电子枪系统的靶向方向上；谐振腔内设有半导体结构，半导体结构生成在衬底上，衬底上设有一层高禁带半导体层，高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。本发明选择禁带宽度不同的半导体层，从而组成新的结构的能带结构上形成势能阱结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 电子束 紫外 激光管 | ||
【主权项】：
透射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，其特征在于，所述激励源采用一电子枪系统；所述谐振腔设置在所述电子枪系统的靶向方向上；所述谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬底上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。
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