[发明专利]RFLDMOS器件和制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件，在采用钨下沉电连接的器件结构基础上，在沟道和轻掺杂扩散漂移区离子注入和热推进工艺后，在源端沟道一侧的P型重掺杂区内，离子注入一中等掺杂的P型埋层，P型埋层可降低寄生NPN管的基极电阻，使骤回效应不易发生，而漏极和沟道及埋层形成的反向二极管可以箝制住LDMOS的漏源电压，并将多余的电流下沉到基板上。本发明还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，在工艺实现上，本发明只是在现有工艺中增加了一步离子注入，易于实施。

主权项

一种RFLDMOS器件，其特征在于：包含：在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延；在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；一P型埋层位于P型沟道区中，并连接轻掺杂P型外延及重掺杂P型沟道连接区；在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖一层金属层形成金属法拉第杯层；在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的一侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质。