[发明专利]一种β-SiC纳米粉体的制备方法无效
| 申请号： | 201210416207.8 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102874810A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;张炬栋;王明明 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种β-SiC纳米粉体的制备方法。包括以下步骤：采用质量百分比为7.9%~68.2%的可膨胀石墨为碳源，质量百分比为31.8%~92.1%的工业硅粉或者二氧化硅粉为硅源；将碳源和硅源混合均匀作为制备SiC的反应原料；将反应原料置于氧化铝坩埚中，加上坩埚盖子并放入高温炉内；升温到1100～1600℃，保温烧结1～9h；随炉自然冷却至常温，开炉即得β-SiC纳米粉体。纳米粉体主要组成为SiC晶须和SiC纳米颗粒。本发明原料廉价易得，工艺简单易控，无需保护气和催化剂，无有毒有害气体产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种β‑SiC纳米粉体的制备方法，其特征在于：采用可膨胀石墨为碳源，工业硅粉或者二氧化硅粉为硅源，将碳源和硅源混合均匀作为制备SiC的反应原料；将原料置于氧化铝坩埚中，加上坩埚盖子并放入高温炉内；高温炉升温到1100～1600℃，保温烧结1～9h；随炉自然冷却至常温，开炉即得β‑SiC纳米粉体。
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