[发明专利]一种大面积共蒸发源的阵列设计无效

专利信息
申请号: 201210415107.3 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN102877031A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 冯良桓;曾广根;黎兵 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610064 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明“一种大面积共蒸发源的阵列设计”属于采用热蒸发制备大面积固体薄膜及半导体薄膜时所用源的发明。采用热蒸发制备多组份薄膜时,为避免成份的偏离,实验室常采用共蒸发的方法加以避免,通过增加单个源的数量进行环状或呈一定角度排布,可以较大程度的保证沉积薄膜的厚度均匀性。这种排布方式在大生产中将面临无法进行在线换源,无法保证源排布的平整和均匀,尤其在源与衬底间距较小的情况下,增加源在运动中进行蒸发沉积的难度。鉴于以上情况,本申请发明提出了一种新的大面积共蒸发源的阵列设计,该阵列可以作为一个整体进行运动,在既可保证沉积薄膜厚度均匀性的同时,可实现静态或动态蒸发沉积薄膜,更能实现源的在线更换。
搜索关键词: 一种 大面积 蒸发 阵列 设计
【主权项】:
一种大面积共蒸发源阵列设计,其特征是利用拼接的方式实现各组份源有规律,有间隔的阵列排布,其中各组份源可以单独加热,所用源可以是块体,粉末,厚膜,液体;源和衬底可以呈静止状态,也可使衬底在源上直线或旋转运动,也可使源在衬底下方直线或旋转运动,实现在线更换源的功能。
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