[发明专利]一种大面积共蒸发源的阵列设计无效
申请号: | 201210415107.3 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN102877031A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 冯良桓;曾广根;黎兵 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610064 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明“一种大面积共蒸发源的阵列设计”属于采用热蒸发制备大面积固体薄膜及半导体薄膜时所用源的发明。采用热蒸发制备多组份薄膜时,为避免成份的偏离,实验室常采用共蒸发的方法加以避免,通过增加单个源的数量进行环状或呈一定角度排布,可以较大程度的保证沉积薄膜的厚度均匀性。这种排布方式在大生产中将面临无法进行在线换源,无法保证源排布的平整和均匀,尤其在源与衬底间距较小的情况下,增加源在运动中进行蒸发沉积的难度。鉴于以上情况,本申请发明提出了一种新的大面积共蒸发源的阵列设计,该阵列可以作为一个整体进行运动,在既可保证沉积薄膜厚度均匀性的同时,可实现静态或动态蒸发沉积薄膜,更能实现源的在线更换。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 蒸发 阵列 设计 | ||
【主权项】:
一种大面积共蒸发源阵列设计,其特征是利用拼接的方式实现各组份源有规律,有间隔的阵列排布,其中各组份源可以单独加热,所用源可以是块体,粉末,厚膜,液体;源和衬底可以呈静止状态,也可使衬底在源上直线或旋转运动,也可使源在衬底下方直线或旋转运动,实现在线更换源的功能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210415107.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:环境友好型钛合金化学机械抛光液
- 下一篇:一种室内空气清新剂
- 同类专利
- 专利分类