[发明专利]互连结构中形成图案化金属硬掩膜的方法有效
| 申请号： | 201210414625.3 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779268A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构中形成图案化金属硬掩膜的方法，利用湿法刻蚀在被刻蚀物中间位置刻蚀速率高于被刻蚀物边缘位置的刻蚀速率的性质，对物理气相沉积形成的金属硬掩膜进行一次回刻，以得到均匀厚度的金属硬掩膜层，进而使得图案化后的金属硬掩膜在晶圆中间位置和边缘位置具有均匀的厚度，从而避免了现有技术中由于同一晶圆上金属硬掩膜的厚度存在差异导致后续干法刻蚀连接孔时得不到良好的刻蚀形貌，使后续填充的导电材料存在空洞，影响半导体器件性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 图案 金属 硬掩膜 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构中形成图案化金属硬掩膜的方法，包括：提供表面形成有布线层的晶圆；在布线层表面沉积层间介质层，并在层间介质层上通过物理气相沉积形成金属硬掩膜层；通过湿法刻蚀回刻部分所述金属硬掩膜层；在剩余的所述金属硬掩膜层表面形成图案化光刻胶；以图案化光刻胶作为屏蔽刻蚀剩余的所述金属硬掩膜层以形成图案化金属硬掩膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210414625.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：节能电水壶
- 下一篇：网络摄像机及网络视频监控系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
