[发明专利]一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法

摘要

一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

主权项

一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨、压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC‑12小型离子溅射仪沉积30s‑60s,得到表面有厚度为10nm‑30nm金膜的衬底；（3）采用以上方法制备的GaN靶和衬底，采用等离子体辅助，在化学气相沉积系统中进行制备：气压为1500Pa‑2500Pa,衬底温度800℃‑1000℃，偏压电流100mA‑180m，通入氮气流速为10‑50厘米3/分钟，通入氢气流速为10‑50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。