[发明专利]一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210407474.9 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102864427A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 贾小氢;刘晓宇;康琳;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.6％均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材，掺杂材料质量百分比分别为Al：0.2％，Fe：0.12％，Si：0.05％，Ti：0.02％，Cr：0.01％，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮和氩离子清洗，放入磁控溅射室；(3)制备Nb薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间直流溅射制备薄膜。本发明改进超薄Nb膜超导性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁控溅射 法制 nb 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)靶材选取选取纯度为99.6％均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材，掺杂材料质量百分比分别为Al：0.2％，Fe：0.12％，Si：0.05％，Ti：0.02％，Cr：0.01％，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理对衬底依次用超声波、丙酮和氩离子清洗，将处理后的衬底放入磁控溅射室；(3)制备Nb薄膜磁控溅射室的真空度小于等于2×10‑5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间直流溅射制备薄膜。
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