[发明专利]CMOS管的形成方法在审
| 申请号： | 201210405792.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779278A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括第一区域和与之相邻的第二区域，且所述第一区域形成有第一栅极结构，所述第二区域形成有第二栅极结构；在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第一应力层；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二区域的第一应力层和第二栅极结构，但暴露出第一区域的第一栅极结构和第一应力层；以所述阻挡层为掩膜，去除第一区域的第一应力层，并刻蚀半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽内形成第二应力层。本发明实施例的形成方法工艺简单，工艺步骤少，且形成的CMOS管的各沟道区的应力大，载流子迁移率高。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括第一区域和与之相邻的第二区域，且所述第一区域形成有第一栅极结构，所述第二区域形成有第二栅极结构；在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第一应力层；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二区域的第一应力层和第二栅极结构，但暴露出第一区域的第一栅极结构和第一应力层；以所述阻挡层为掩膜，去除第一区域的第一应力层，并刻蚀半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽内形成第二应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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