[发明专利]热载流子注入退化性能的评估方法在审
| 申请号： | 201210405328.2 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102890230A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 唐逸;周伟;张悦强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热载流子注入退化性能的评估方法。所述方法包括：在一半导体MOS器件的漏端、源端分别加载对应的漏端电压、源端电压，并依次从交流电压信号被均分形成的多份交流电压信号中选择一份交流电压信号加载到半导体MOS器件的栅端并保持预定加载时长，从而获得每一份交流电压信号下的电性能参数退化分量；选择与所述半导体MOS器件同型号的至少另外两个半导体MOS器件，重复上述步骤，以计算所述型号半导体MOS器件的电性能退化量。与现有的方案相比，通过使用交流电压信号完成计算半导体MOS器件的电性能退化量。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 注入 退化 性能 评估 方法 | ||
【主权项】：
一种热载流子注入退化性能的评估方法，其特征在于，包括：步骤1、在一半导体MOS器件的漏端、源端分别加载对应的漏端电压、源端电压；并依次从交流电压信号被均分形成的多份交流电压信号中选择一份交流电压信号加载到半导体MOS器件的栅端并保持一预定加载时长；步骤2、在预定加载时长之后，去除漏端、源端、栅端分别加载对应的漏端电压、源端电压以及加载的栅端电压，测量半导体MOS器件的实时电性能参数；步骤3，在所述预定加载时长内，遍历从交流电压信号被均分形成的多份交流电压信号中的每一份交流电压信号，根据所述实时电性能参数获得每一份交流电压信号下的电性能参数退化分量；步骤4、选择与所述半导体MOS器件同型号的至少另外两个半导体MOS器件，并针对每个半导体MOS器件分别在不同的所述预定加载时长内重复上述步骤1‑3，获得至少另外两个半导体MOS器件在每一份交流电压信号下的电性能参数退化分量；步骤5、根据预定加载时长以及至少三个半导体MOS器件在每一份交流电压信号下的电性能参数退化分量，计算所述型号半导体MOS器件的电性能退化量。
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