[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210403275.0 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103035674A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本发明的RFLDMOS具有比普通RFLDMOS更低的RDSON，较大的BV，同时具有较低的输出电容。同时，本发明采用外延生长技术，使得外延层的厚度、导电类型、掺杂浓度等均易于控制，并且减少了一次漂移区离子注入和光刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，其特征在于：所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。
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