[发明专利]采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法

摘要

本发明涉及一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法。本方法在基底的正面利用反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的槽，槽的深度决定了空腔上方基底的厚度，然后在基底的表面和槽的侧壁与底部淀积阻挡层，选择性的去除基底的表面和槽底部的阻挡层，在槽的侧壁形成侧壁保护层，以侧壁保护层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽。采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；然后于正面特定区域内制造含金属的加热装置和测温装置，随后沉积保护层。如此可以高效率低成本的获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底腔体。

主权项

一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：制造工艺步骤如下：1）取一硅衬底（001），该硅衬底（001）上方有覆盖一层隔离层（100）；采用干法刻蚀法在所述硅衬底中形成用于制作空腔的槽；2）在所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的侧壁与底部淀积阻挡层；3）去除所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的底部的阻挡层，在所述槽（002）的侧壁形成侧壁保护层（008）；4）以所述侧壁保护层（008）为掩模，继续刻蚀所述槽（002），形成深槽（102）；5）采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽（102），在所述硅衬底（001）的内部形成腔体（010）；6）在所述槽（002）的侧壁保护层（008）之间填满隔离和/或填充材料（006），形成插塞结构，将所述腔体（010）与外界隔离；7）将所述硅衬底（001）的表面平坦化；8）在所述硅衬底（001）上淀积电热层；9）对所述电热层作图形化，在所述硅衬底（001）上形成加热装置（003）、测温装置（004）和电极（020）；10）在所述硅衬底（001）上淀积保护层（108），所述保护层（108）覆盖所述加热装置（003）和所述测温装置（004）。