[发明专利]采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法

权利要求书

1.一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：制造工艺步骤如下：

1）取一硅衬底（001），该硅衬底（001）上方有覆盖一层隔离层（100）；采用干法刻蚀法在所述硅衬底中形成用于制作空腔的槽；

2）在所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的侧壁与底部淀积阻挡层；

3）去除所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的底部的阻挡层，在所述槽（002）的侧壁形成侧壁保护层（008）；

4）以所述侧壁保护层（008）为掩模，继续刻蚀所述槽（002），形成深槽（102）；

5）采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽（102），在所述硅衬底（001）的内部形成腔体（010）；

6）在所述槽（002）的侧壁保护层（008）之间填满隔离和/或填充材料（006），形成插塞结构，将所述腔体（010）与外界隔离；

7）将所述硅衬底（001）的表面平坦化；

8）在所述硅衬底（001）上淀积电热层；

9）对所述电热层作图形化，在所述硅衬底（001）上形成加热装置（003）、测温装置（004）和电极（020）；

10）在所述硅衬底（001）上淀积保护层（108），所述保护层（108）覆盖所述加热装置（003）和所述测温装置（004）。

2.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤2）中的淀积阻挡层形成制作腔体（010）的槽（002）之前的淀积绝缘层。

3.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述硅衬底为（111）晶向的硅。

4.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤2）中的阻挡层是通过化学气相淀积法或者原子层淀积法形成的。

5.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤3）中硅衬底的表面和所述槽（002）的底部的阻挡层是通过回刻工艺去除的。

6.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤4）中深槽（102）的深度为0.1～10um。

7.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤5）中的湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺在所述硅衬底（001）的内部形成腔体（010）；所述湿法腐蚀所用的腐蚀溶液为KOH和/或TMAH。

8.根据权利要求1中所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤6）中的填充隔离和/或填充材料是通过化学气相淀积法或者原子层淀积法在所述槽（002）的侧壁保护层（008）之间填充隔离和/或填充材料（006）；所述隔离和/或填充材料（006）为单层或者多层结构。

9.根据权利要求1中所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤7）中的平坦化工艺包括化学机械抛光和/或回刻。

10.根据权利要求1中所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述电热层为含金属的材料；所述电热层为单层的或者多层的结构；所述含金属的材料为温阻材料。

11.根据权利要求10所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述温阻材料包括铂或者金。

12.根据权利要求1所述的采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：所述步骤10）中的保护层（108）为单层的或者多层的结构。