[发明专利]场发射电子源的制备方法有效
| 申请号： | 201210381738.8 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730305A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郭彩林;唐洁;柳鹏;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环；切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构，形成多个场发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，且每一导电环环绕所述绝缘层设置，所述导电环两端具有相对的第一环面及第二环面，形成一场发射电子源预制体；切割所述场发射电子源预制体，使所述碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源，每一场发射电子源的至少一端包覆有所述导电环，且所述碳纳米管线状结构的末端，所述绝缘层的断面，以及所述导电环的一环面位于同一平面。
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