[发明专利]P型LDMOS中改善漏电的工艺方法有效
| 申请号： | 201210380594.4 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103715093B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;周正良;蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型LDMOS中改善漏电的工艺方法，包括步骤1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在作为第二氧化层的牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法刻蚀，去除牺牲氧化层；4）进行快速加热退火和快速热氧化，形成第三氧化层；5）进行源漏注入、侧墙工艺，完成P型LDMOS的制作。通过本发明栅极刻蚀后的工艺修复，可将漏电在原来基础之上降低至少一个数量级，而且没有对其他参数产生任何影响，即不会对器件的其他性能造成影响，适合PLDMOS应用。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 改善 漏电 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种P型LDMOS中改善漏电的工艺方法，其特征在于，包括步骤：（1）在N型外延上依次淀积第二氧化层、多晶硅层、栅极金属硅化物层，对栅极金属硅化物层以及多晶硅层进行刻蚀形成多晶硅栅极；多晶硅栅极之下的第二氧化层作为栅氧化层，多晶硅栅极以外的剩余第二氧化层保留作为牺牲氧化层；然后表面整体再淀积第一氧化层；（2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；（3）湿法刻蚀，去除栅极两侧的有源区上的牺牲氧化层；（4）进行快速加热退火和快速热氧化，在有源区上形成第三氧化层；（5）进行源漏注入、侧墙工艺，完成P型LDMOS的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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