[发明专利]一种逆变器电路及其结构

摘要

本发明公布了一种逆变器电路及其结构，包括PCB板，导热绝缘材料，散热座，卡簧。PCB板上具有由晶体管构成的三路电路，晶体管为MOSFET晶体管或IGBT晶体管；每一路电路由多个晶体管单元并联构成，每个晶体管单元包括两个MOSFET晶体管，或两个IGBT晶体管；散热座上从具有4个矩形凸起，4个矩形凸起平行排列并隔挡形成3个空间，固定在PCB板上的晶体管也同时位于4个矩形凸起所隔挡形成的3个空间中，晶体管对称贴附于矩形凸起的侧面，之间有散热材料；卡簧两端紧压矩形凸起的侧面上的晶体管。针对传统逆变器成本高、易虚焊、导热性差的缺陷，设计出一种成本低廉、通用性好、电气性能和导热效果良好的方案。

主权项

一种逆变器电路，包括晶体管，三相交流电的U、V、W接口、直流电的B+、B‑接口，其特征在于：所述逆变器电路具有由晶体管构成的三路电路，晶体管为MOSFET晶体管或IGBT晶体管；每一路电路由多个晶体管单元并联构成，每个晶体管单元包括两个MOSFET晶体管，或两个IGBT晶体管；当为MOSFET晶体管时，一个晶体管的漏极和另一个晶体管的源极相连形成晶体管单元，晶体管单元剩余的漏极接B+接口，剩余的源极接地，三路电路中的各晶体管单元中相连的漏极和源极的公共结点相连接形成公共结点并分别连接至U、V、W接口；当为IGBT晶体管时，一个晶体管的集电极和另一个晶体管的发射极相连形成晶体管单元，晶体管单元剩余的集电极接B+接口，剩余的发射极接地，三路电路中的各晶体管单元中相连的集电极和发射极的公共结点相连接形成公共结点并分别连接至U、V、W接口；B‑接口接地。