[发明专利]一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法及一种多晶硅铸锭的方法有效
申请号: | 201210375860.4 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103693858A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 彭春球 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵;李玉秋 |
地址: | 314117 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法,该方法将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁,然后进行烘干,得到带有氮化硅涂层的石英坩埚。本发明提供了一种多晶硅铸锭的方法,该方法向上述制备方法得到的带有氮化硅涂层的石英坩埚装填多晶硅料,依次经过熔化、长晶和退火,得到多晶硅锭。本发明采用带有氮化硅涂层的石英坩埚进行多晶硅铸锭,能提高多晶硅的品质。同时,本发明仅对石英坩埚做喷涂氮化硅浆料、烘干等简单的预处理,无需烧结即可得到带有氮化硅涂层的坩埚或者即可按照正常铸锭工艺投炉运行,操作简便,耗能较低、耗时较少、设备损耗较少,提高了生产效率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 氮化 涂层 石英 坩埚 制备 方法 多晶 铸锭 | ||
【主权项】:
一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法,包括以下步骤:将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁,然后进行烘干,得到带有氮化硅涂层的石英坩埚。
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