[发明专利]差分电流采样电路无效
| 申请号： | 201210373804.7 | 申请日： | 2012-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN103713177A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王晓娟;周晓东;王纪云 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种差分电流采样电路。该电路包括电流信号输入端（Io）、脉冲触发信号输入端（MPG）和采样电压信号输出端（Vout），其特征在于，该电路还包括：第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、第四PMOS晶体管（P4）、第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三NMOS晶体管（N3）、第四NMOS晶体管（N4）、第五NMOS晶体管（N5）和电阻（R1）。本发明的有益效果是：MOS管结构简单，工艺简单，所占面积较小，该电路的电路结构简单，减小芯片面积，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 采样 电路 | ||
【主权项】：
一种差分电流采样电路，包括电流信号输入端（Io）、脉冲触发信号输入端（MPG）和采样电压信号输出端（Vout），其特征在于，该电路还包括：第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、第四PMOS晶体管（P4）、第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三NMOS晶体管（N3）、第四NMOS晶体管（N4）、第五NMOS晶体管（N5）和电阻（R1）；电压源连接至第一PMOS晶体管（P1）的源极、第二PMOS晶体管（P2）的源极和第五NMOS晶体管（N5）的漏极；电流信号输入端（Io）连接至第一NMOS晶体管（N1）的楼极；脉冲触发信号输入端（MPG）连接至第四NMOS晶体管（N4）的栅极和第五NMOS晶体管（N5）的栅极；采样电压信号输出端（Vout）连接至第四NMOS晶体管（N4）的源极和第五NMOS晶体管（N5）的源极；第一PMOS晶体管（P1）的漏极连接至第三PMOS晶体管（P3）的源极，栅极连接至第二PMOS晶体管（P2）的栅极和第四PMOS晶体管（P4）的漏极；第二PMOS晶体管（P2）的漏极连接至第四PMOS晶体管（P4）的源极和第四NMOS晶体管（N4）的漏极；第三PMOS晶体管（P3）的栅极连接至第四PMOS晶体管（P4）的栅极和第三NMOS晶体管（N3）的漏极，漏极连接至第一NMOS晶体管（N1）的栅极、第二NMOS晶体管（N2）的栅极和第三NMOS晶体管（N3）的栅极；电阻（R1）串接于第四PMOS晶体管（P4）的漏极和第三NMOS晶体管（N3）的漏极之间；第一NMOS晶体管（N1）的源极、第二NMOS晶体管（N2）的源极和第三NMOS晶体管（N3）的源极均接地（GND）。
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