[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201210372508.5 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856373A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 唐武;郭涵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有高电子迁移率晶体管栅漏电流较大的问题，提供了一种高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。本发明的有益效果是，提高器件的性能，适用于高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210372508.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于电动车辆的转子温度估计
- 下一篇：伸缩式挂衣器
- 同类专利
- 专利分类
