[发明专利]衬底处理设备无效
| 申请号： | 201210371923.9 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515190A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张承逸;安吉秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社MM科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀园区木内*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种衬底处理设备，包含：处理室，在其侧壁中具有至少一狭缝，其中待处理的衬底放在所述处理室内；喷射单元，定位在所述处理室内以将处理介质喷到所述衬底上；驱动单元，定位在所述处理室外，通过所述狭缝而连接到所述喷射单元并且在所述衬底的表面方向上移动所述喷射单元；以及密封单元，介入在所述喷射单元与所述驱动单元之间并且密封所述驱动单元使其不受所述处理室的内部气氛影响。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底处理设备，包括：处理室，在其至少一侧壁中具有狭缝，其中待处理的衬底放在所述处理室内；喷射单元，定位在所述处理室内以将处理介质喷到所述衬底上；驱动单元，定位在所述处理室外，通过所述狭缝而连接到所述喷射单元，并且在所述衬底的表面方向上移动所述喷射单元；以及密封单元，介入在所述喷射单元与所述驱动单元之间并且密封所述驱动单元使其不受所述处理室的内部气氛影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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