[发明专利]检验设备、光刻设备以及器件制造方法有效
| 申请号： | 201210370728.4 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103034069A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | S·Y·斯米诺夫;L·赖齐科夫;E·B·凯提;安戴尔·琼比尤尔;D·赫德;Y·K·什马利威;R·D·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B13/18;G02B17/08;G01B11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检验设备、光刻设备以及器件制造方法。该检验设备包括：照射系统，配置成接收第一束并由其产生第二和第三束，和反射折射物镜，配置成引导第二束从所述晶片反射。检验设备还包括第一传感器，配置成检测由反射的第二束形成的第一图像。检验设备还包括：折射物镜，配置成引导第三束从所述晶片反射，和第二传感器，配置成检测由反射的第三束形成的第二图像。在一个实施例中，第一和第二图像可以用于CD测量。在一个实施例中，第二束具有大约200nm至大约425nm的光谱范围，第三束具有大约425nm至大约850nm的光谱范围。检验设备还可以包括第三传感器，配置成检测由从晶片反射的第三束产生的第三图像。在一个实施例中，第三图像可以用于OV测量。 | ||
| 搜索关键词： | 检验 设备 光刻 以及 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于通过光学方式确定晶片的尺寸参数的检验设备，所述检验设备包括：照射系统，配置成接收第一束并由其产生第二束和第三束；反射折射物镜，配置成引导第二束从所述晶片反射；第一传感器，配置成检测由反射的第二束形成的第一图像；折射物镜，配置成引导第三束从所述晶片反射；和第二传感器，配置成检测由反射的第三束形成的第二图像。
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