[发明专利]一种小绒面、高电阻率太阳能电池的生产方法无效
申请号: | 201210370310.3 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN103715295A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 王豪兵;粱坚;顾冬生;戴王帅 | 申请(专利权)人: | 江苏天宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 沈志海 |
地址: | 212362 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种小绒面、高电阻率太阳能电池的生产方法,该生产方法包括如下步骤:A、片源检测:分选电阻率高于6Ω·cm的硅片;B、制绒:在低浓度的氢氧化钠溶液中制绒;C、扩散:把上述制绒后硅片送入820度高温炉中通磷源扩散磷原子形成高方阻的PN结;D、刻蚀:使用等离子体气体,刻蚀硅片的周边;E、去二氧化硅:将上述硅片放入浓度为10%的氢氟酸溶液浸泡4分钟;F、氮化硅层:在上述硅片扩散面镀氮化硅层;G、丝网印刷:在上述硅片表面印刷具有导电功能的银浆和铝浆;H、烧结:对上述硅片进行烧结。本发明工艺简单方便、变废为宝,将高电阻率的硅片也用来制作太阳能电池,提高利用率,提高生产效率,降低产品的不合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 小绒面 电阻率 太阳能电池 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种小绒面、高电阻率太阳能电池的生产方法,其特征在于:所述生产方法包括如下步骤: A、片源检测:分选电阻率高于6Ω·cm的硅片; B、制绒:在低浓度的氢氧化钠溶液中制绒,制绒反应温度为75‑80度,时间为14‑16分钟,NaOH浓度质量体积比为1.0‑1.5%;形成金字塔小绒面,小绒面大小为1‑2μm; C、扩散:把上述制绒后硅片送入820度高温炉中通磷源扩散磷原子,通源量为1200‑1400Sccm,时间为10分钟,形成高方阻的PN结; D、刻蚀:使用等离子体气体,刻蚀硅片的周边,去除硅片四周的导电层; E、去二氧化硅:将上述硅片放入浓度为10%的氢氟酸溶液浸泡4分钟; F、氮化硅层:在上述硅片的扩散面镀氮化硅层; G、丝网印刷:在上述硅片表面印刷具有导电功能的银浆和铝浆; H、烧结:对上述硅片进行烧结,形成良好的欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的