[发明专利]一种晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201210355051.7 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103663998A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡伟;胡建波;何志利;施沪华;梁群 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，包括将涂层材料涂布在所述晶体硅铸锭用坩埚的内部；所述涂层材料包括氮化硅粉末、无水乙醇和去离子水。由于本发明的制备方法无需高温烧结步骤，因此可以大幅度降低能耗，从而起到节约成本的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 坩埚 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，其特征在于：包括将涂层材料涂布在所述晶体硅铸锭用坩埚的内部；所述涂层材料包括氮化硅粉末、无水乙醇和去离子水。
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