[发明专利]一种晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201210355051.7 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103663998A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡伟;胡建波;何志利;施沪华;梁群 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 坩埚 涂层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，其特征在于：包括将涂层材料涂布在所述晶体硅铸锭用坩埚的内部；所述涂层材料包括氮化硅粉末、无水乙醇和去离子水。
2.根据权利1所述的晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，其特征在于：所述氮化硅粉末、无水乙醇和去离子水之间的比例关系为：450～480克∶230毫升∶1600～1800毫升。
3.根据权利1所述的晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，其特征在于：在将所述涂层材料涂布在所述晶体硅铸锭用坩埚的内部之前，先将所述坩埚加热至40～50℃。
4.根据权利1所述的晶体硅铸锭用坩埚的内涂层的制备方法，其特征在于：所书涂布的方法是将所述涂层材料雾化后喷涂在所述晶体硅铸锭用坩埚的内部。
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