[发明专利]一种源漏双外延层的形成方法无效
| 申请号： | 201210352667.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681505A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种源漏双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极结构和第二栅极结构；在所述半导体衬底上形成第一外延阻挡层；蚀刻去除部分第一外延阻挡层，以在所述第一栅极结构两侧形成第一层间隙壁；在第一栅极结构两侧的源漏区外延形成第一抬升源漏；在所述衬底上沉积第二外延阻挡层；蚀刻去除部分第二外延阻挡层，以在第二栅极结构两侧形成第二间隙壁；在所述第二栅极结构两侧的源漏区外延形成第二抬升源漏；蚀刻去除部分剩余的所述第二外延阻挡层，以在所述第一栅极结构上形成第二层间隙壁。在本发明中所述抬升源漏的形成与间隙壁形成工艺集成在一起，外延阻挡层刻蚀后形成侧墙，进一步简化工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏双 外延 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种源漏双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极结构和第二栅极结构；在所述半导体衬底上形成第一外延阻挡层；蚀刻去除部分位于所述第一栅极结构以及两侧源漏区上的所述第一外延阻挡层，以在所述第一栅极结构两侧形成第一层间隙壁；在所述第一栅极结构两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；在所述衬底上沉积第二外延阻挡层；蚀刻去除部分位于所述第二栅极结构以及两侧源漏区上的所述第一外延阻挡层和所述第二外延阻挡层，以在所述第二栅极结构两侧形成第二间隙壁；在所述第二栅极结构两侧的源漏区外延生长第二半导体材料层，形成第二抬升源漏；蚀刻去除部分剩余的所述第二外延阻挡层，以在所述第一栅极结构上形成第二层间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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