[发明专利]带有窄沟槽发射极的横向PNP双极晶体管

摘要

本发明公开了一种横向双极晶体管包括沟槽发射极和沟槽集电极区，以制备极窄发射极区，从而提高发射极效率。利用相同的沟槽工艺，制备发射极/集电极沟槽以及沟槽隔离结构，从而无需使用额外的处理步骤，就能制备沟槽发射极和集电极。在本发明的实施例中，可以利用离子植入到形成在半导体层中的沟槽，制备沟槽发射极和沟槽集电极区。在其他实施例中，可以通过重掺杂多晶硅填充沟槽的掺杂物向外扩散，制备沟槽发射极和沟槽集电极区。

主权项

一种横向双极晶体管包括：        一个第一导电类型的半导体衬底；一个形成在衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型相反；第一导电类型的第一掩埋层以及第二导电类型的第二掩埋层，都形成在衬底和外延层之间，第一掩埋层位于沟槽绝缘结构下方，第二掩埋层位于基极区下方；一个形成在外延层上方的电介质层；形成在电介质层和外延层中的第一和第二沟槽，沟槽至少用一个多晶硅层填充，多晶硅层通过电介质层，至少与每个沟槽的底部绝缘，多晶硅层掺杂第一导电类型的掺杂物；以及第一导电类型的第一和第二扩散区，形成在各自的第一和第二沟槽侧壁周围的外延层中，每个沟槽的多晶硅层都与各自沟槽侧壁周围各自的扩散区电接触，其中发射极区形成在第一沟槽和第一扩散区中，集电极区形成在第二沟槽和第二扩散区中，基极区形成在第一和第二扩散区之间的外延层中，第一和第二扩散区与第一和第二沟槽相连，第一沟槽中的多晶硅层形成在电介质层上方，并且延伸到一部分基极区上方，第一沟槽的多晶硅层延伸部分作为基极区的一个场板。