[发明专利]一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201210346506.9 申请日: 2012-09-18
公开(公告)号: CN102903841A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 刘宜伟;李润伟;詹清峰;代国红 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L37/00 分类号: H01L37/00;H01F10/10;H01F27/24
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种温度控制的磁电子器件,包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层;该衬底具有各向异性热膨胀系数;该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零;工作状态时,控制环境温度变化或者衬底温度变化,引起衬底各向异性的热膨胀(或热收缩),所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层,使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比,本发明具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点,在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 温度 控制 磁电 器件 制备 方法 应用
【主权项】:
一种温度控制的磁电子器件,其特征是:包括衬底(1),以及位于衬底(1)表面的磁性材料层(2);所述的衬底(1)具有各向异性热膨胀系数;所述的磁性材料层(2)的磁致伸缩系数不为零;工作状态时,控制环境温度变化或者衬底(1)温度变化,引起衬底(1)各向异性的热膨胀(或热收缩),所产生的应力通过衬底(1)与磁性材料层(2)的界面传递至磁性材料层(2),使磁性材料层(2)的磁性能发生变化。
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