[发明专利]一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种温度控制的磁电子器件，其特征是：包括衬底（1），以及位于衬底（1）表面的磁性材料层（2）；所述的衬底（1）具有各向异性热膨胀系数；所述的磁性材料层（2）的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底（1）温度变化，引起衬底（1）各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底（1）与磁性材料层（2）的界面传递至磁性材料层（2），使磁性材料层（2）的磁性能发生变化。

2.根据权利要求1所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：所述的衬底包括单晶衬底、陶瓷衬底、金属衬底、有机物衬底、塑料衬底、铁电衬底。

3.根据权利要求1所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：所述的磁性材料层（1）由第一磁性材料层（3）、第二磁性材料层（4），以及位于第一磁性材料层（3）与第二磁性材料层（5）之间的介质层（4）所构成。

4.根据权利要求1所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：所述的介质层（4）是非磁性金属层、绝缘材料层、铁电材料层或压电材料层。

5.根据权利要求1所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：所述的磁性材料层（2）的构成材料是磁性金属、磁性金属合金、磁性氧化物或者有机磁性材料。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：引起所述的环境温度变化或者衬底温度变化的温度源是光源、可控热源以及废热。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的温度控制的磁电子器件，其特征是：在衬底（1）表面利用薄膜沉积技术沉积磁性材料层（2）。

8.根据权利要求7所述的温度控制的磁电子器件的制备方法，其特征是：所述的薄膜沉积技术包括磁控溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法或者脉冲激光沉积法。

9.一种温度控制的电感，其特征是：采用权利要求1至5中任一权利要求所述的温度控制的磁电子器件，在其外围设置通电线圈；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化引起磁性材料层（2）的磁各向异性发生变化，从而导致磁化方向发生变化，使线圈内的磁通量发生变化，以实现温度对电感的控制。

10.一种能量回收器件，其特征是：采用权利要求1至5中任一权利要求所述的温度控制的磁电子器件，在其外围设置空线圈；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化引起磁性材料层（2）的磁各向异性发生变化，从而导致磁化方向发生变化，使空线圈内的磁通量发生变化，由于电磁感应，线圈输出电压。