[发明专利]电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器有效
| 申请号： | 201210345623.3 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103682090A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;宋雅丽;杨玲明;刘易 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210345623.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成电路波形图像快速显示方法
- 下一篇：一种模锻压力机的自动顶料机构
