[发明专利]低比导通电阻的横向双极型晶体管在审
| 申请号： | 201210330620.2 | 申请日： | 2012-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103681815A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张作钦;崔京京 | 申请（专利权）人： | 苏州英能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市苏州高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了低比导通电阻的横向双极型晶体管，包括,衬底;设置于衬底上的第一RESURF区；依次设置的集电区、基区以及发射区；其中，所述基区内形成有基区欧姆接触区，所述基区欧姆接触区上设置有基极；所述集电区内形成有集电区欧姆接触区，所述集电区欧姆接触区上设置有集电极；所述发射区上设置有发射极，用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区。通过设置第二RESURF区，可以使得横向双极型晶体管漂移区的电场变得平缓，从而在相同的漂移区长度下，可以达到更高的反向阻断电压和更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 横向 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低比导通电阻的横向双极型晶体管，包括,衬底;设置于衬底上的第一RESURF区；依次设置的集电区、基区以及发射区；其中，所述基区内形成有基区欧姆接触区，所述基区欧姆接触区上设置有基极；所述集电区内形成有集电区欧姆接触区，所述集电区欧姆接触区上设置有集电极；所述发射区上设置有发射极，其特征在于，还包括：用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区。
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