[发明专利]一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法有效
| 申请号： | 201210330312.X | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102842662A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;周德保;杨东;黄炳源;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物；（2）实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，外延生长半导体纳米柱阵列；（4）使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 化合物 半导体器件 组装 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物，用以在导电衬底表面形成金属层；（2）对金属层实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，利用步骤（2）形成的金属岛状颗粒作为纳米柱生长催化剂，外延生长半导体纳米柱阵列，且沿金属岛纵向生长速率大于横向生长速率；（4）提高温度，并增加V/III比，使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面外延生长量子阱层和P型层，形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。
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