[发明专利]一种光电材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210328952.7 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102851644A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 郭荔辉 申请(专利权)人: 昆山铭佳利电子制品有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 刘述生
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种光电材料的制备方法,具体涉及光电材料领域。它的制备方法为:(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用;(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上,保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源,再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空;(3)开始使用分子泵工作,抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa;(4)使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值,再引入氩气;(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射,最后进行溅射制备薄膜。它的薄膜质量高,性能优越,能够制造出质量高的激光器。
搜索关键词: 一种 光电 材料 制备 方法
【主权项】:
一种光电材料的制备方法,其特征在于,它的制备方法为:(1)首先将选好的衬底材料蓝宝石、石英晶体和硅片等清洗干净、烘干备用;(2)先将清洗好的衬底固定在真空室中的衬底托盘上,保持良好的面接触以便热传导均匀,然后关闭真空室,先打开电源,再打开机械泵和低真空阀门预抽真空室内气体得到底真空;(3)开始使用分子泵工作,抽吸使其可达到系统的基础真空8×104Pa;(4) 使得真空室内的氧气压强达到预定的氧分压值,再引入氩气;(5)当压强达到设定值之后即可开始溅射,最后进行溅射制备薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山铭佳利电子制品有限公司,未经昆山铭佳利电子制品有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210328952.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top