[发明专利]入射电容式传感器有效

专利信息
申请号: 201210328798.3 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102997944B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: M·D·豪尔;M·D·施洛夫 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G01D5/24 分类号: G01D5/24;G01T1/00;G01T1/02;G01J1/42
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及入射电容式传感器,公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域(108,109)以及顶板结构(203)。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子‑空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与顶板结构之间的所述电容取决于入射到所述传感器区域的辐射。阻挡结构选择性地并且区别性地阻挡来自传感器区域具有一个范围中的参数值的辐射,以便在选定的辐射入射角下相对于其它传感器区域的电子‑空穴对的产生区别性地影响一个传感器区域的电子‑空穴对的产生。
搜索关键词: 入射 电容 传感器
【主权项】:
一种电容式传感器器件,包括:包括第一传感器区域以及第二传感器区域的衬底,位于所述衬底上的顶板结构,所述第一传感器区域以及所述第二传感器区域具有当具有辐射参数值范围中的参数值的辐射入射到其时有助于电子‑空穴对产生的材料,在操作期间当具有辐射参数值范围中的参数值的辐射入射到所述第一传感器区域并且当电压施加到所述顶板结构上时,所述第一传感器区域中的作为第一电容的第一电极的第一反转层被辐射改变,在操作期间当具有辐射参数值范围中的参数值的辐射入射到所述第二传感器区域并且当电压施加到所述顶板结构上时,所述第二传感器区域中的作为第二电容的第一电极的第二反转层被辐射改变;所述衬底内的位于所述第一传感器区域以及所述第二传感器区域之间的分离区域,所述分离区域抑制在所述第一传感器区域以及所述第二传感器区域之间的载流子流动;其中所述顶板结构包括对于具有所述范围中的参数值的辐射不透明的阻挡结构,所述顶板结构包括导电结构以及位于所述导电结构和所述衬底之间的电介质层,其中所述顶板结构位于所述第一传感器区域的第一部分上以及所述第二传感器区域的第一部分上,所述导电结构位于所述第一传感器区域和所述第二传感器区域两者的一部分上,所述导电结构包括导电材料层,所述导电材料层作为所述第一电容和所述第二电容两者的第二电极;其中所述阻挡结构相对于所述第一传感器区域和所述第二传感器区域定位,以选择性且区别性地阻挡来自所述第一传感器区域以及所述第二传感器区域的具有所述范围中的参数值的辐射,以便在选定的辐射入射角下相对于所述第二传感器区域中的电子‑空穴对的产生区别性地影响所述第一传感器区域的电子‑空穴对的产生。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210328798.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top