[发明专利]CMOS管的形成方法

摘要

一种CMOS管的形成方法，通过在第一伪栅极结构的顶部和侧壁形成第一刻蚀阻挡层，在第二区域的第二伪栅极结构的顶部和侧壁形成第二刻蚀阻挡层，且形成所述第一刻蚀阻挡层时的射频频率大于形成第二刻蚀阻挡层时的射频频率，后续刻蚀第一刻蚀阻挡层时的速率大于刻蚀第二刻蚀阻挡层时的速率，去除第一伪栅极结构时，所述第二刻蚀阻挡层可以充当第二伪栅极结构的保护层，节省了工艺步骤，形成的CMOS管的性能稳定。

主权项

一种CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与之相隔的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一伪栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二伪栅极结构；形成覆盖第一区域的半导体衬底、所述第一伪栅极结构的顶部和侧壁的第一刻蚀阻挡层，形成覆盖第二区域的半导体衬底、所述第二伪栅极结构的顶部和侧壁的第二刻蚀阻挡层，形成所述第一刻蚀阻挡层时的射频频率大于形成第二刻蚀阻挡层时的射频频率；形成绝缘层，所述绝缘层暴露出第一伪栅极结构顶部的第一刻蚀阻挡层和第二伪栅极结构顶部的第二刻蚀阻挡层；去除第一伪栅极结构和部分第一刻蚀阻挡层，形成暴露出半导体衬底的第一开口；在所述第一开口内形成第一栅极结构，所述第一栅极结构与剩余的第一刻蚀阻挡层表面齐平；平坦化绝缘层、第一刻蚀阻挡层和第一伪栅极结构，直至与剩余的第一刻蚀阻挡层表面齐平；在形成第一栅极结构后，去除第二伪栅极结构，形成暴露出半导体衬底的第二开口，并在所述第二开口内形成第二栅极结构。