[发明专利]一种含两性离子的荷正电纳滤膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210318449.3 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102836649A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 曹绪芝;李本刚;郭斌 | 申请（专利权）人： | 南京林业大学 |
| 主分类号： | B01D71/78 | 分类号： | B01D71/78;B01D67/00;B01D69/10;B01D69/02 |
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| 地址： | 210037 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含两性离子的荷正电纳滤膜及其制备方法。该荷正电纳滤是由超滤膜支撑层和膜表面含季铵基团的单体与含两性离子的单体辐照接枝获得的聚合物接枝层为功能层组成的，制备过程为：以聚合物超滤膜为基膜，将含有季铵基团的单体和含有两性离子的单体在超滤膜表面进行辐照共聚接枝得膜。这种含两性离子的纳滤膜对高价阳离子盐溶液(如MgCl2)有较高的截留率，可达90％以上，水通量为10～35L.m-2.h-2。本发明具有实施容易、反应可控、膜的离性能可在较大范围内调节等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 两性 离子 电纳 滤膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含两性离子的荷正电纳滤膜，其特征在于由超滤膜支撑层和膜表面含季铵基团的单体与含两性离子的单体辐照接枝获得的聚合物接枝层为功能层组成的含两性离子的荷正电纳滤膜。
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