[发明专利]一种含两性离子的荷正电纳滤膜及其制备方法无效
申请号: | 201210318449.3 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN102836649A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 曹绪芝;李本刚;郭斌 | 申请(专利权)人: | 南京林业大学 |
主分类号: | B01D71/78 | 分类号: | B01D71/78;B01D67/00;B01D69/10;B01D69/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210037 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 两性 离子 电纳 滤膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种含两性离子的荷正电纳滤膜,其特征在于由超滤膜支撑层和膜表面含季铵基团的单体与含两性离子的单体辐照接枝获得的聚合物接枝层为功能层组成的含两性离子的荷正电纳滤膜。
2.一种如权利要求1所述的含两性离子的荷正电纳滤膜的制备方法,其特征在于它的步骤如下:首先将3~10质量份的含有季铵基团的单体和0.05~1质量份的含有两性离子的单体加入水中,配成总质量浓度为10~60%的水溶液,然后将上述配置好的混合液添加超滤膜表面进行辐照接枝得到含有两性离子的荷正电纳滤膜。
3.根据权利要求2所述的一种含两性离子的荷正电纳滤膜的制备方法,其特征在于所述的含有季铵基团的单体为二甲基二烯丙基氯化铵、二乙基二烯丙基氯化铵、2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、甲基丙烯酰氧丙基三甲基氯化铵、丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、甲基丙烯酰氧乙基二甲基苄基氯化铵、丙烯酰氧乙基二甲基苄基氯化铵或三甲基烯丙基氯化铵。
4.根据权利要求2所述的一种含两性离子的荷正电纳滤膜的制备方法,其特征在于所述的两性离子单体为3-[N,N-二甲基-[2-(2-甲基丙-2-烯酰氧基)乙基]铵]丙烷-1-磺酸内盐、3-[N,N-二甲基-[2-(2-甲基丙-2-烯酰氧基)乙基]铵]乙烷-1-羧酸内盐、3-(4-乙烯基吡啶)丙烷-1-羧酸内盐。
5.根据权利要求2所述的一种含两性离子的荷正电纳滤膜的制备方法,其特征在于辐照接枝时间为1~100min。
6.根据权利要求1和权利要求2所述的一种含两性离子的荷正电纳滤膜及其制备方法,其特征在于所用的超滤膜材料是主链或侧链带有羰基或磺酰基的光敏性聚合物。
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