[发明专利]超高纯砷单晶体片的制备方法有效
| 申请号： | 201210312574.3 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102899712A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陈国忠;杨卫东 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/00 | 分类号： | C30B1/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 敖欢;詹永斌 |
| 地址： | 614200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高纯砷单晶体片的制备方法,其特征在于包括如下步骤：（1）石英管表面处理将石英管表面洗净，去除石英管表面的杂质；（2）超高纯砷脱氧封装将超高纯砷装入已经处理干净的石英管内，将石英管在真空条件下加热，去除砷的表面氧化膜，使砷表面显出金属光泽后，熔封石英管；（3）置于水平管式炉内把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内；（4）水平管式炉熔料和冷却结晶4.1 把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内,在36个标准大气压下，升温至820～840℃，恒温50‑60min使石英管内的砷完全熔化；4.2 把已经熔化砷的石英管管式炉中拖出，放置在冷却结晶水平台上，使其自然冷却降温；4.3 817℃以下时，石英管内固体砷升华，生成有两个单晶片的孪晶体，断裂后成为两个独立的单晶片，得到产品。
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