[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201210310946.9 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103632913A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 万磊;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/24 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明涉及一种等离子体处理装置，该处理装置包括反应腔室，用于导入反应气体对放置在其中的半导体待加工件进行等离子体处理工艺，反应腔室内设置有：第一电极，第一电极外接有至少一个射频电源，每个射频电源具有唯一的频率；与第一电极上下相对地设置的第二电极，第二电极包括多个电极区；其中，该处理装置还包括至少一个选通电路，每个选通电路一端与一电极区连接，另一端接地，选通电路根据其通断状态调节射频电源在该电极区和第一电极之间形成的射频电场的强度。本发明使反应腔室中的射频电场分布处于可控状态，实现了对等离子体处理工艺的过程控制。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，所述处理装置包括反应腔室，用于导入反应气体对放置在其中的半导体待加工件进行等离子体处理工艺，所述反应腔室内设置有：第一电极，所述第一电极外接有至少一个射频电源，每个所述射频电源具有唯一的频率；与所述第一电极上下相对地设置的第二电极，所述第二电极包括多个电极区；其中，所述处理装置还包括至少一个选通电路，每个所述选通电路一端与一所述电极区连接，另一端接地，所述选通电路根据其通断状态调节所述射频电源在该电极区和所述第一电极之间形成的射频电场的强度。
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