[发明专利]一种量子效应光电探测器与读出集成电路的封装方法

摘要

发明公开了一种量子效应光电探测器与读出集成电路的封装方法，其特点是该方法采用POWREPCB或集成电路设计软件在基板的正、反两面进行光电探测器阵列和读出集成电路的引线设计和电路板制作，并通过基板上的金属微孔将探测器阵列与读出集成电路互联，然后将其封装在管壳内。本发明与现有技术相比具有较低的电阻，降低了电感，减少了信号延迟和封装寄生参数带来的信号损失，抗干扰性能好，可靠性高，进一步降低噪声和制造成本，有利于推动高灵敏度新原理光电探测器在的广泛应用。

主权项

一种量子效应光电探测器与读出集成电路的封装方法，其特征在于该方法采用POWRE PCB或集成电路设计软件在基板的正、反两面进行光电探测器阵列和读出集成电路的引线设计以及电路板制作，并通过基板上的金属微孔将光电探测器阵列与读出集成电路互联，然后将其封装在管壳内，具体封装工艺包括以下步骤： （一）、基板电路的制作采用POWRE PCB或集成电路设计软件在基板的正、反两面分别进行引线设计和制作光电探测器阵列与读出集成电路封装面的互联电路，所述基板为300~400μm厚度的PCB、硅或陶瓷板； （二）、金属微孔的制作在基板上采用刻蚀、微机械TSV或激光打孔工艺在基板上加工通孔和套孔，然后采用微电子工艺对通孔进行金属化加工成金属互联线；所述通孔的孔径小于70μm；所述套孔为设置在封装面电路两旁的控制端套孔和引线套孔，其孔径大于70μm；所述刻蚀为反应离子或等离子的干法刻蚀、硅基各向异性腐蚀深孔的湿法刻蚀或上述干法和湿法相结合的刻蚀工艺； （三）、读出集成电路的焊接采用压焊、倒焊或植球焊接工艺将读出集成电路与基板对应的封装面互联电路连接，然后在读出集成电路两侧设置陶瓷支架以保护读出集成电路，陶瓷支架与基板为粘接，其高度大于读出集成电路的厚度；（四）、光电探测器阵列的焊接上述焊接读出集成电路的基板设置在管座的壳内，其未焊接器件的封装面互联电路朝上，将引线通过套孔与管座上的引线针套合后焊接固定，然后采用压焊、倒焊或植球焊接工艺将光电探测器阵列与基板对应的封装面互联电路连接，焊接完成后盖上管座透光板。