[发明专利]4-羟基香豆素插层水滑石蓝光复合发光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210305979.4 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102786927A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 陆军;李震;卫敏;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 张水俤 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于无机/有机复合发光材料技术领域的一种4-羟基香豆素插层水滑石蓝光复合发光材料及其制备方法。本发明选取与4-羟基香豆素中性分子相似分子长度的表面活性剂，通过共沉淀的方法共插层得到均匀分散于水滑石层间的超分子复合发光材料。本发明利用水滑石层状材料的空间限域作用以及主客体之间的相互作用，实现4-羟基香豆素中性分子的固定化，同时实现了发射转变为蓝光发射，并且有效地提高了中性荧光小分子的荧光性能，为将水滑石应用于固体发光器件领域提供理论研究基础。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 香豆素插层水 滑石 复合 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种4‑羟基香豆素插层水滑石蓝光复合发光材料，其特征在于，该发光材料的化学式为：[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(A‑)xBy·mH2O，其中0.1≤x≤0.33，y/x=0.05‑1，m＝3‑6为层间结晶水数量，M2+代表二价金属阳离子，M3+代表三价金属阳离子，A‑代表全氟己烷磺酸根阴离子或全氟辛烷磺酸根阴离子，B代表4‑羟基香豆素；该发光材料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体，通过共用边形成片状结构，4‑羟基香豆素与全氟己烷磺酸根阴离子或全氟辛烷磺酸根阴离子共同插入水滑石层间构成均匀分散的插层超分子层状复合蓝光发光材料。
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