[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210305662.0 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN102957420B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 岩崎正 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K19/08 分类号: H03K19/08
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体器件。一种半导体器件,包括可变电阻器,在加重模式下将其电阻值设定为第一电阻值且在去加重模式下将其电阻值设定为小于第一电阻值的第二电阻值;第一驱动器,在加重模式下将其输出阻抗设定为第三电阻值并且在去加重模式下将其输出阻抗设定为大于第三电阻值的第四电阻值;第二驱动器,在加重模式下将其输出阻抗设定为第五电阻值并且在去加重模式下将其输出阻抗设定为大于第五电阻值的第六电阻值;以及控制器,根据输入信号控制第一和第二驱动器的导通状态,并且在加重模式和去加重模式之间切换第一和第二驱动器的输出阻抗以及可变电阻器的电阻值。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:第一输出端和第二输出端,所述第一输出端和第二输出端与负载电阻器耦合并且输出差分信号;可变电阻器,所述可变电阻器布置在所述第一输出端和所述第二输出端之间,并且所述可变电阻器的电阻值在加重模式下为第一电阻值并且在去加重模式下为小于所述第一电阻值的第二电阻值;第一驱动器,所述第一驱动器布置在第一电源端和所述第一输出端之间,并且所述第一驱动器的输出阻抗在所述加重模式下为第三电阻值并且在所述去加重模式下为大于所述第三电阻值的第四电阻值;第二驱动器,所述第二驱动器布置在第二电源端和所述第二输出端之间,并且所述第二驱动器的输出阻抗在所述加重模式下为第五电阻值并且在所述去加重模式下为大于所述第五电阻值的第六电阻值;以及控制器,所述控制器根据输入信号控制所述第一驱动器和所述第二驱动器的导通状态,并且在所述加重模式和所述去加重模式之间切换所述第一驱动器和所述第二驱动器的输出阻抗以及所述可变电阻器的电阻值,其中,设定所述第一电阻值和所述第二电阻值,使得作为所述第一电阻值和所述负载电阻的并联电阻的第一差分电阻值和作为所述第二电阻值和所述负载电阻的并联电阻的第二差分电阻值之间的比率等于所述加重模式下所述差分信号的幅度和所述去加重模式下所述差分信号的幅度之间的比率,以及其中,表示所述第三电阻值和所述第五电阻值的并联电阻的第一输出电阻值与表示所述第四电阻值和所述第六电阻值的并联电阻的第二输出电阻值之间的差被设定为大致等于所述第一差分电阻值和所述第二差分电阻值之间的差的值。
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