[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和第二输出端与负载电阻器耦合并且输出差分信号；

可变电阻器，所述可变电阻器布置在所述第一输出端和所述第二输出端之间，并且所述可变电阻器的电阻值在加重模式下为第一电阻值并且在去加重模式下为小于所述第一电阻值的第二电阻值；

第一驱动器，所述第一驱动器布置在第一电源端和所述第一输出端之间，并且所述第一驱动器的输出阻抗在所述加重模式下为第三电阻值并且在所述去加重模式下为大于所述第三电阻值的第四电阻值；

第二驱动器，所述第二驱动器布置在第二电源端和所述第二输出端之间，并且所述第二驱动器的输出阻抗在所述加重模式下为第五电阻值并且在所述去加重模式下为大于所述第五电阻值的第六电阻值；以及

控制器，所述控制器根据输入信号控制所述第一驱动器和所述第二驱动器的导通状态，并且在所述加重模式和所述去加重模式之间切换所述第一驱动器和所述第二驱动器的输出阻抗以及所述可变电阻器的电阻值，

其中，设定所述第一电阻值和所述第二电阻值，使得作为所述第一电阻值和所述负载电阻的组合电阻的第一差分电阻值和作为所述第二电阻值和所述负载电阻的组合电阻的第二差分电阻值之间的比率对应于所述加重模式下所述差分信号的幅度和所述去加重模式下所述差分信号的幅度之间的比率，以及

其中，表示所述第三电阻值和所述第五电阻值的组合电阻的第一输出电阻值与表示所述第四电阻值和所述第六电阻值的组合电阻的第二输出电阻值之间的差被设定为对应于所述第一差分电阻值和所述第二差分电阻值之间的差的值。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第三驱动器，所述第三驱动器布置在所述第一电源端和所述第二输出端之间，所述第三驱动器的电路构造与所述第一驱动器相同，并且被控制为与所述第一驱动器互补地处于导通状态；以及

第四驱动器，所述第四驱动器布置在所述第二电源端和所述第一输出端之间，所述第四驱动器的电路构造与所述第二驱动器相同，并且被控制为与所述第二驱动器互补地处于导通状态。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述可变电阻器包括串联耦合在所述第一输出端和所述第二输出端之间的第一开关电路、第一桥电阻器、串联耦合在所述第一输出端和所述第二输出端之间的第二开关电路、以及第二桥电阻器，

其中，所述第一桥电阻器具有所述第一电阻值，并且所述第二桥电阻具有使得所述第一桥电阻和所述第二桥电阻的组合电阻变为所述第二电阻值的电阻值，

其中，控制所述第一开关电路在所述加重模式和所述去加重模式下处于导通状态，以及

其中，控制所述第二开关电路在所述加重模式下处于导通状态，并且在所述去加重模式下处于不导通状态。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，

其中，所述第一驱动器包括：

第一输出设定单元，所述第一输出设定单元具有串联耦合在所述第一电源端和所述第一输出端之间的第一开关晶体管、以及第一电阻器；以及

第二输出设定单元，所述第二输出设定单元具有串联耦合在所述第一电源端和所述第一输出端之间的第二开关晶体管、以及第二电阻器，

其中，所述第一电阻器具有使得所述第一电阻器和所述第二电阻器的组合电阻变为所述第三电阻值的电阻值，

其中，所述第二电阻器具有所述第四电阻值，

其中，控制所述第一开关晶体管在所述加重模式和所述去加重模式下处于所述导通状态，

其中，控制所述第二开关晶体管在所述加重模式下处于导通状态，并且控制所述第二开关晶体管在所述去加重模式下处于不导通状态，

其中，所述第二驱动器包括：

第三输出设定单元，所述第三输出设定单元具有串联耦合在所述第二电源端和所述第一输出端之间的第三开关晶体管、以及第三电阻器；以及

第四输出设定单元，所述第四输出设定单元具有串联耦合在所述第二电源端和所述第一输出端之间的第四开关晶体管、以及第四电阻器，

其中，所述第三电阻器具有使得所述第三电阻器和所述第四电阻器的组合电阻具有所述第五电阻值的电阻值，

其中，所述第四电阻器具有所述第六电阻值，

其中，控制所述第三开关晶体管在所述加重模式和所述去加重模式下处于导通状态，以及

其中，控制所述第四开关晶体管在所述加重模式下处于导通状态，并且控制所述第四开关晶体管在所述去加重模式下处于不导通状态。