[发明专利]一种半导体器件双外延层的形成方法有效
| 申请号： | 201210303569.6 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632929A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明涉及一种半导体器件双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区形成第二抬升源漏，其中，所述第二半导体材料层与第一半导体材料层具有高的蚀刻选择比；在所述第二栅极以及第二抬升源漏上沉积掩膜材料层；蚀刻去除所述第一抬升源漏上的第二半导体材料层；去除所述掩膜材料层。本发明所述方法更加简单、高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 外延 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第一抬升源漏以及第二栅极两侧的源漏区外延生长第二半导体材料层，在所述第二栅极两侧的源漏区形成第二抬升源漏，其中，所述第二半导体材料层与第一半导体材料层具有高的蚀刻选择比；在所述第二栅极以及第二抬升源漏上沉积掩膜材料层；蚀刻去除所述第一抬升源漏上的第二半导体材料层；去除所述掩膜材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210303569.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种管芯两端的连接件
- 下一篇：汽车转向机台架试验夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
