[发明专利]一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法有效
| 申请号： | 201210303317.3 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102842654A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;董德庆;庄春泉;汪涛;唐茜 | 申请（专利权）人： | 四川汉能光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人： | 徐金伟 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。通过本发明能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 薄膜 太阳能电池 功率 芯片 分析 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
