[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201210300871.6 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN103178132A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 李景洙;崔亨旭 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;张旭东
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层;形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层;形成在发射极层上的第一电极;以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括:形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分,以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。
搜索关键词: 太阳能电池
【主权项】:
一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的半导体衬底;形成在所述半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的第二导电类型的发射极层;形成在所述半导体衬底的所述后表面上的后表面场层;形成在所述发射极层上并且电连接到所述发射极层的第一电极;以及形成在所述后表面场层上并且电连接到所述后表面场层的第二电极,其中,所述后表面场层包括:在未形成所述第二电极的部分形成并且具有第一电阻的第一部分,以及与所述第二电极接触并且具有低于所述第一电阻的第二电阻的第二部分,所述第二电极包括多个指状电极,所述多个指状电极彼此平行并且彼此间隔约0.1mm到约1mm的距离,并且所述多个指状电极具有约50μm到约70μm的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210300871.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top